삼성·SK하이닉스와 반대로 간 마이크론… "20년 판 4F² DRAM 때려친다" 선언

요약 미국의 메모리 반도체 기업 마이크론(Micron)이 20년 넘게 연구해 온 '4F²' DRAM 기술 상용화를 전격 포기하고, 기존 '6F²' 구조를 계속 유지하겠다고 발표했습니다. 현재 삼성전자, SK하이닉스, 그리고 중국의 CXMT 등 경쟁사들이 모두 차세대 밀도 향상을 위해 4F² 구조 전환에 박차를 가하고 있는 상황이라 업계의 관심이 쏠리고 있습니다. DRAM 셀은 트랜지스터 하나와 커패시터 하나로 구성되어 있어 공정 미세화가 매우 까다롭습니다. 오랫동안 사용된 6F² 레이아웃 대신 4F²를 도입하면 이론상 집적도를 33% 높일 수 있어 차세대 '꿈의 기술'로 불려 왔습니다. 그러나 마이크론의 스콧 드보어(Scott DeBoer) 부사장 겸 최고기술책임자(CTO)는 최근 웨비나를 통해 "DRAM 밀도를 결정짓는 핵심은 셀 면적이 아니라 커패시터 간의 간격"이라며, "4F²로 줄여봤자 실제 밀도 상승 효과는 미미한 반면 비용과 제조 복잡도만 기하급수적으로 폭증한다"고 포기 이유를 설명했습니다. 이에 따라 마이크론은 검증된 6F² 구조를 1δ(델타), 1ε(입실론), 나아가 ζÅ(제타-옹스트롬), ηÅ(에타-옹스트롬) 평면 공정까지 쥐어짜며 활용할 계획입니다. 동시에 고난도 웨이퍼 본딩 기술을 거쳐 궁극적으로는 셀을 수직으로 쌓아 올리는 '진정한 3D DRAM'으로 직행하겠다는 승부수를 던졌습니다. 플래시 메모리(NAND)는 이미 수직 적층 3D 구조가 보편화되었지만, DRAM은 누설 전류와 열 간섭을 제어하며 커패시터를 옆으로 눕혀 쌓는 아키텍처 개편이 필수적입니다. 업계에서는 경쟁사들이 수직 채널 트랜지스터 도입과 커패시터 한계에 부딪혀 막대한 비용을 소모할 경우 마이크론의 선택이 신의 한 수가 될 수 있지만, 경쟁사들이 4F² 양산에 성공해 가격 경쟁력을 확보한다면 단기적으로 마이크론이 큰 위기를 맞을 수도 있다는 분석이 나오고 있습니다.